Experiments
- AG - astrophysics and geophysics
- BK - biophysics and complex systems
- FM - solid state physics and physics of materials
- KT - nuclear physics and particle physics
BK - biophysics and complex systems
- AG.RBK - Rayleigh-Bénard Convection
- BK.ABB - Analysis of Brownian Motion
- BK.CMF - Computational Microfluidics (Digital Lab)
- BK.MDS - Molecular Dynamics Simulations of Proteins
- BK.MIF - Microfluidics
- BK.NLF - Nd:YAG Laser and Second-harmonic generation
- BK.NSE - Nanostructuring by means of Electron Beam Lithography
- BK.OTM - Assembling an optical tweezers microscope
- BK.PKR - Phase Contrast Radiography
- BK.SLM - X-ray reflectivity study of lipid membranes
- BK.STM - STED Microscopy
- BK.TRS - Total Reflection of X-rays and X-ray Reflectivity of Thin Films
- BK.WFS - Wavefront sensor for laser beam and optics characterization
BK.NSE - Nanostructuring by means of Electron Beam Lithography
Die Elektronenstrahl-Lithographie dient zur Nanostrukturierung z.B. von optischen Komponenten. Am Institut für Röntgenphysik werden z.B. neuartige Röntgenwellenleiter hergestellt. Typische Strukturgrößen liegen im Bereich von wenigen Nanometern bis zu einigen hundert Mikrometern. In diesem Verfahren wird im Rasterelektronenmikroskop der Elektronenstrahl über einen elektronenempfindlichen Lack entsprechend der gewünschten Struktur gerastert. Das Entwickeln der Strukturen erfolgt anschließend nass-chemisch. Im Versuch werden typische Prozessschritte wie Belacken, Belichten, Entwickeln durchgeführt und Strukturen im sub-100 nm-Bereich hergestellt. Es soll u.a. gezeigt werden, welchen Einfluss Belichtungsparameter und Entwicklertemperatur auf die Größe und Qualität der Strukturen haben. Ferner gibt der Versuch einen Einblick in das Arbeiten unter Reinraumbedingungen.